Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).
Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).